RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
60
Около -216% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
19.3
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3310
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XJV223-MIE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link