RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston XJV223-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston XJV223-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston XJV223-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3127
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston XJV223-MIE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link