RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
64
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.3
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
4200
Около 5.07 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
64
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
21300
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
2205
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link