RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston XJV223-MIE 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Kingston XJV223-MIE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
39
Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston XJV223-MIE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
16
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
39
Velocità di lettura, GB/s
16.0
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3127
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston XJV223-MIE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G13332 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link