RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston XJV223-MIE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston XJV223-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XJV223-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3127
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston XJV223-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link