RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
17.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
60
Intorno -173% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
22
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3929
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link