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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2969
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
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