RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
77
Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2969
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link