RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
60
Intorno -100% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
30
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3495
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link