RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
60
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3495
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8KTF25664AZ-1G6M1 2GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kllisre 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link