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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
60
Intorno -131% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
26
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
2691
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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