RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
60
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
2,168.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
34
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
10.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
2265
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link