RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Kingston 9965589-043.E00G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
60
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
10.1
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2265
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link