RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Panram International Corporation M424016 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation M424016 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation M424016 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
60
Intorno -94% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
2,168.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
31
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
2035
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Panram International Corporation M424016 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link