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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
12.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
60
Intorno -100% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
30
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3140
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
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