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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Confronto
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Punteggio complessivo
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
56
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
1,501.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
31
Velocità di lettura, GB/s
3,161.0
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,501.2
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
381
3598
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
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