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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
総合得点
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
総合得点
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
56
周辺 -81% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
1,501.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
4200
周辺 4.05 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
56
31
読み出し速度、GB/s
3,161.0
16.7
書き込み速度、GB/秒
1,501.2
14.5
メモリ帯域幅、mbps
4200
17000
Other
商品説明
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
381
3598
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
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