Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

Note globale
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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

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Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 16.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    31 left arrow 56
    Autour de -81% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    14.5 left arrow 1,501.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 4200
    Autour de 4.05 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    56 left arrow 31
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,161.0 left arrow 16.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,501.2 left arrow 14.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    381 left arrow 3598
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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