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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
77
Intorno -126% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
34
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2917
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
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A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
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