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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
77
Intorno -103% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
38
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2882
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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