RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
77
Intorno -175% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
28
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3708
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link