RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
15.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
77
Intorno -285% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
20
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3558
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link