RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
17.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
77
Intorno -221% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
24
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
17.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
4001
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link