RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
77
Intorno -141% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
32
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2768
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link