RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
77
Intorno -166% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
29
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3314
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link