RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
77
Intorno -103% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
38
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2892
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link