RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
77
Intorno -235% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
23
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3007
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link