RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
77
Intorno -166% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
29
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3672
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link