RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3432
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link