RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
14.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
77
Intorno -235% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
23
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3127
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link