RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
77
Intorno -148% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
31
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2236
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link