RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
10.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
77
Intorno -166% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
29
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3111
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link