RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
77
Intorno -148% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
31
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2999
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link