RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
77
Intorno -208% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
25
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2261
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link