RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
77
Intorno -175% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
28
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3536
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
INTENSO M418039 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link