RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
77
Intorno -185% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
27
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2823
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link