RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
77
Intorno -185% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
27
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2823
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 7200LL Series 2GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link