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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
77
Intorno -133% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
33
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3219
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
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