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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
15.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3636
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
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Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
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Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
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