RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
77
Intorno -305% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
19
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2994
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link