RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
77
Intorno -148% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
31
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3126
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link