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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
77
Intorno -126% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
34
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3206
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
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