RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
77
91
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6.1
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
4.3
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
91
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
6.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
4.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
1214
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link