RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
70
77
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
70
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
1946
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link