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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
77
Intorno -114% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
36
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
1891
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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