RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
77
Intorno -235% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
23
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2318
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link