RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
77
Intorno -83% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
42
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3284
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link