RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
77
107
Intorno 28% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.5
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
4.7
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
107
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
4.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
1022
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link