RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
77
Intorno -208% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.7
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
25
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2038
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link