RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
77
Intorno -126% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
34
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2978
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link