RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
77
Intorno -60% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
48
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2398
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL51264BA1339.16FD 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link